Intel detalha 13 invenções de chips em simpósio de tecnologia

A Intel compartilhou os detalhes de 13 artigos com inovações na fabricação de chips para a próxima conferência de design de chips VLSI Symposium.

O trabalho foi feito pelas equipes Intel Generation Construction, Intel Labs e Intel Design Engineering.

O executivo da Intel, Ben Promote, falou sobre quatro das divulgações com a imprensa esta semana, e a Intel está revelando mais inovações em circuitos que empregam técnicas de Compute Close to Reminiscence (CNM) para melhorar o processador RISC-V de oito núcleos.

O 2022 IEEE Symposium on VLSI Generation and Circuits será realizado de 13 a 17 de junho em Honolulu, Havaí. Pesquisadores da Intel estão apresentando 13 trabalhos, incluindo resultados de uma nova tecnologia avançada CMOS FinFET, Intel 4, demonstrando mais de 20% de ganho de desempenho em iso-power sobre Intel 7.

O vice-presidente executivo da Intel, Raja Koduri, participará de uma sessão do painel Circuits chamada “Construindo a força de trabalho de 2030: como atrair ótimos alunos e o que ensiná-los?”

Especificamente, a Intel está publicando os resultados de uma nova tecnologia avançada de transistor de efeito de campo (FinFET) de óxido de steel complementar avançado (CMOS), Intel 4, demonstrando mais de 20% de ganho de desempenho do transistor em iso-power sobre o processo Intel 7 .

O processo Intel 4 permite uma redução de duas vezes na área da biblioteca lógica de alto desempenho e america o ultravioleta extremo (EUV) extensivamente para simplificar o fluxo do processo, ao mesmo pace em que reduz o esforço de projeto em relação ao Intel 7. Essas e outras tecnologias importantes os avanços apresentados alimentarão uma nova geração de produtos Intel à medida que a Intel avança em seu roteiro definido em julho passado para introduzir cinco nós de processo em quatro anos.

A Intel também está revelando novos métodos e melhorias para circuitos básicos que servirão como componentes vitais de soluções futuras. Uma dessas inovações de circuito emprega técnicas de Compute Close to Reminiscence (CNM) para melhorar o desempenho de um processador RISC-V de oito núcleos e será apresentada em uma demonstração de destaque no simpósio. Essas e as futuras inovações desenvolvidas na Intel não apenas oferecerão suporte ao portfólio de produtos da Intel, mas também se destinam a beneficiar os clientes do novo negócio de fundição da Intel, Intel Foundry Products and services (IFS).

A Intel também demonstrará o MOCVD de materiais 2D diretamente em uma plataforma Si de 300 milímetros, incluindo WSe2 tipo p pela primeira vez, para espaços de aplicação BEOL e FEOL. MoS2 nFETs mostram variabilidade que aumenta com a geometria dimensionada.